MOSFET FQP30N06L

Modelo: FQP30N06L ID de corriente de drenaje continuo: 30A Voltaje de fuente de drenaje VDS: 60 V Polaridad del transistor: canal N.
• Material duradero: el transistor está hecho de material semiconductor de óxido de metal, que tiene buena estabilidad térmica y larga vida útil.
• Tecnología de proceso avanzada: el transistor es un tipo de componente electrónico de precisión con alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y un gran rango dinámico.
• El tubo MOSFET es un tipo de elemento de control de voltaje. Estos dispositivos son adecuados para suministros de modo de modo conmutado, amplificador de audio, control de motor de CC y energía de conmutación variable
• Multifunción: rectificador de canal N con múltiples funciones como detección, rectificación, amplificación, conmutación, estabilización de voltaje y modulación de señal, ampliamente utilizada en circuitos integrados a gran escala y a gran escala.